STH4N80FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STH4N80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218

Другие MOSFET... STH15NA50FI , STH26N25 , STH26N25FI , STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 , STH45N10FI , STH4N80 , SKD502T , STH4N90 , STH4N90FI , STH55N10 , STH55N10FI , STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , STH60N10FI .