KIA4N65H-220F - аналоги и даташиты транзистора

 

KIA4N65H-220F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: KIA4N65H-220F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для KIA4N65H-220F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA4N65H-220F Datasheet (PDF)

 6.1. Size:239K  kia
 kia4n65h.pdf pdf_icon

KIA4N65H-220F

4.0A650VN-CHANNELMOSFET4N65HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionThis Power MOSFET is produced using KIA advanced planar stripe DMOS technology. Thisadvanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. Thes

 8.1. Size:316K  kia
 kia4n60h.pdf pdf_icon

KIA4N65H-220F

4.0A600VN-CHANNELMOSFET4N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA4N60H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for highvoltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters,solenoid, motor drivers, relay drivers.2. Features R =2.3@V =10VDS(ON) GS Lowgate cha

Другие MOSFET... KIA4N60H-251 , KIA4N60H-252 , KIA4N60H-220 , KIA4N60H-220F , KIA4N60H-262 , KIA4N65H-251 , KIA4N65H-252 , KIA4N65H-220 , STP80NF70 , KIA50N03-251 , KIA50N03-252 , KIA50N03-220 , KIA50N03BD , KIA50N06B-220 , KIA5610A , KIA5N60E , KIA6035A .

History: SM4184T9RL | SM4186T9RL | CS740S | NCV8401DTRKG | N0434N | SML0505FN

 

 
Back to Top

 


 
.