KIA50N03BD. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA50N03BD

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0099 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KIA50N03BD

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA50N03BD даташит

 ..1. Size:123K  kia
 kia50n03bd.pdf pdf_icon

KIA50N03BD

50A30V N-CHANNELMOSFET KIA50N03B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2. Features 50A, 30V, R (on) typ. =6.5m (typ.)@V =10 V DS GS Lowgate charge LowCrss Fast switching Improveddv/dt capability 3. Pinc

 6.1. Size:6996K  kia
 kia50n03.pdf pdf_icon

KIA50N03BD

50 Amps, 30 Volts N-CHANNEL MOSFET 50N03 KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance Fully characterized avalanche voltage and current 2.Applications VDSS=30V,RDS(on)=6.5m ,ID=50A Vds=30V RDS(ON)=6.5m (Max.),VGS@10V,Ids@30A RDS(

 7.1. Size:1126K  1
 kia50n06.pdf pdf_icon

KIA50N03BD

KIA50N06 Pb KIA50N06 Pb Free Plating Product 50A,60V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET Features 2. Drain 50A, 60V, RDS(on) = 0.022 @VGS = 10 V BVDSS = 60V Low gate charge ( typical 31 nC) Low Crss ( typical 65 pF) RDS(ON) = 0.022 ohm Fast switching 1. Gate 100% avalanche tested ID = 50A

 7.2. Size:394K  kia
 kia50n06b.pdf pdf_icon

KIA50N03BD

50A 60V 50N06B N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =10.5m @ V =10V DS(on) GS Lead free and green device available Low Rds-on to minimize conductive loss High avalanche current 2. Applications Power supply UPS Battery management system 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1of 6 Rev 1.1JAN2014

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KIA4N60H-262, KIA4N65H-251, KIA4N65H-252, KIA4N65H-220, KIA4N65H-220F, KIA50N03-251, KIA50N03-252, KIA50N03-220, BS170, KIA50N06B-220, KIA5610A, KIA5N60E, KIA6035A, KIA65R190, KIA65R300, KIA65R420, KIA65R700