STH4N90 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: STH4N90  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 max pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: TO218

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для STH4N90

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH4N90 даташит

 ..1. Size:629K  1
 sth4n90 sth4n90fi.pdf pdf_icon

STH4N90

 9.1. Size:317K  1
 sth4n80 sth4n80fi.pdf pdf_icon

STH4N90

Другие IGBT... STH26N25, STH26N25FI, STH33N20, STH33N20FI, STH45N10, STH45N10FI, STH4N80, STH4N80FI, STF13NM60N, STH4N90FI, STH55N10, STH55N10FI, STH5N90, STH5N90FI, STH60N10, STH60N10FI, STH65N05