Справочник MOSFET. KIA6N70H-251

 

KIA6N70H-251 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KIA6N70H-251
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 95 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.8 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 16 nC
   Время нарастания (tr): 40 ns
   Выходная емкость (Cd): 95 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для KIA6N70H-251

 

 

KIA6N70H-251 Datasheet (PDF)

 6.1. Size:203K  kia
kia6n70h.pdf

KIA6N70H-251
KIA6N70H-251

5.8A,700VN-CHANNELMOSFET6N70HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThis Power MOSFETis produced using Maple semis advanced planar stripe DMOStechnology.This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superiorswitching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation m

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top