STH4N90FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STH4N90FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 55 nC
   trⓘ - Время нарастания: 150 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218

Другие MOSFET... STH26N25FI , STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 , STH45N10FI , STH4N80 , STH4N80FI , STH4N90 , AO3400 , STH55N10 , STH55N10FI , STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI .