STH4N90FI - описание и поиск аналогов

STH4N90FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH4N90FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 150 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150(max) pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.2 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам