KIA730H-252 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KIA730H-252
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для KIA730H-252
KIA730H-252 Datasheet (PDF)
kia730h.pdf

6A400V730HN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA730H N-Channel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed forhigh voltage,high speed power switching applications such as switching regulators,switchingconverters,solenoid,motor drivers,relay drivers.2. Features R =0.83 Typ@V =10 VDS(on) GSLowga
Другие MOSFET... KIA65R300 , KIA65R420 , KIA65R700 , KIA65R950 , KIA6N70H-251 , KIA6N70H-252 , KIA6N70H-220F , KIA730H-251 , IRF2807 , KIA730H-220 , KIA730H-220F , KIA75NF75 , KIA7N60H-220 , KIA7N60H-220F , KIA7N60H-262 , KIA7N60H-263 , KIA7N60U .
History: GPT18N50GN3P | NCEP023NH85GU | IRHE7110 | STB200NF03 | BLF7G24LS-100 | 4953 | TDM3536
History: GPT18N50GN3P | NCEP023NH85GU | IRHE7110 | STB200NF03 | BLF7G24LS-100 | 4953 | TDM3536



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor