STH55N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STH55N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   trⓘ - Время нарастания: 270 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: TO218

Другие MOSFET... STH33N20 , STH33N20FI , STH45N10 , STH45N10FI , STH4N80 , STH4N80FI , STH4N90 , STH4N90FI , IRFB31N20D , STH55N10FI , STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 .