STH55N10 - описание и поиск аналогов

STH55N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH55N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: TO218

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам