KIA8N60H-220 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KIA8N60H-220
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KIA8N60H-220
KIA8N60H-220 Datasheet (PDF)
kia8n60h.pdf

7.5A600VN-CHANNELMOSFET8N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA8N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fastswitchingtime, lowgate charge, lowon-state resistanceand have ahigh rugged avalanchecharacteristics.This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supp
Другие MOSFET... KIA7N60H-262 , KIA7N60H-263 , KIA7N60U , KIA7N80H-220 , KIA7N80H-220F , KIA840S-252 , KIA840S-263 , KIA840S-220 , 60N06 , KIA8N60H-220F , KNB1906A , KNB2404A , KNB2708A , KNB2710A , KNB2803A , KNB2804A , KNB2804C .
History: IRFL1006PBF | BL13N50-P | IPI120N06S4-H1 | WMK15N65C4 | CSD87384M | IRFH5004 | ASDM3010S
History: IRFL1006PBF | BL13N50-P | IPI120N06S4-H1 | WMK15N65C4 | CSD87384M | IRFH5004 | ASDM3010S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL0406AKQ | JMSL0406AK | JMSL0406AGQ | JMSL0406AGDQ | JMSL0406AGD | JMSL04060GDQ | JMSL04055UQ | JMSL04055GQ | JMSL0403PU | JMSL0403PK | JMSL0403PGQ | JMSL0403PG | JMSL0403AU | JMSL0403AGQ | JMSL0403AG | JMTQ90N02A
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b