KIA8N60H-220. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KIA8N60H-220

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KIA8N60H-220

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KIA8N60H-220 даташит

 6.1. Size:187K  kia
 kia8n60h.pdf pdf_icon

KIA8N60H-220

7.5A600V N-CHANNELMOSFET 8N60H KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Description The KIA8N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switchingtime, lowgate charge, lowon-state resistanceand have ahigh rugged avalanchecharacteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supp

Другие IGBT... KIA7N60H-262, KIA7N60H-263, KIA7N60U, KIA7N80H-220, KIA7N80H-220F, KIA840S-252, KIA840S-263, KIA840S-220, IRLB3034, KIA8N60H-220F, KNB1906A, KNB2404A, KNB2708A, KNB2710A, KNB2803A, KNB2804A, KNB2804C