KIA8N60H-220F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KIA8N60H-220F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для KIA8N60H-220F
KIA8N60H-220F Datasheet (PDF)
kia8n60h.pdf

7.5A600VN-CHANNELMOSFET8N60HKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA8N60 is a high voltage MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fastswitchingtime, lowgate charge, lowon-state resistanceand have ahigh rugged avalanchecharacteristics.This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power supp
Другие MOSFET... KIA7N60H-263 , KIA7N60U , KIA7N80H-220 , KIA7N80H-220F , KIA840S-252 , KIA840S-263 , KIA840S-220 , KIA8N60H-220 , MMD60R360PRH , KNB1906A , KNB2404A , KNB2708A , KNB2710A , KNB2803A , KNB2804A , KNB2804C , KNB2906A .
History: APT1201R4SFLL | HM50N06K | AO4405 | HFT1N60F | RSD221N06FRA | OSG65R360JEF | HFS8N65JS
History: APT1201R4SFLL | HM50N06K | AO4405 | HFT1N60F | RSD221N06FRA | OSG65R360JEF | HFS8N65JS



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
Popular searches
toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent