KNB3508A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KNB3508A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для KNB3508A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNB3508A даташит

 ..1. Size:218K  kia
 knb3508a knd3508a knp3508a.pdf pdf_icon

KNB3508A

70A 80V 3508A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =9.5m typ. @V =10V DS(on) GS 100%avalanchetested Reliable and rugged Lead free and green device available RoHSCompliant 2. Applications Switching application Power management for inverter systems 3.Symbol Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source 4 Drain 1o

Другие IGBT... KNB2906A, KNB2910A, KNB2915A, KNB3204A, KNB3206A, KNB3208A, KNB3306B, KNB3308B, IRF840, KND2803A, KND2804A, KND2906A, KND3203B, KND3204A, KND3206A, KND3208A, KND3302A