STH60N10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STH60N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 270 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: TO218
Аналог (замена) для STH60N10
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STH60N10 даташит
sth60n10.pdf
STH60N10/FI STW60N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH60N10 100 V
Другие MOSFET... STH4N80 , STH4N80FI , STH4N90 , STH4N90FI , STH55N10 , STH55N10FI , STH5N90 , STH5N90FI , STF13NM60N , STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 , STH65N06FI , STH6N100 , STH6N100FI , STH6NA80 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor