KND4365A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND4365A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 14.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 58.7 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND4365A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND4365A даташит

 ..1. Size:218K  kia
 knd4365a knf4365a.pdf pdf_icon

KND4365A

4A650V N-CHANNELMOSFET 4365A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R ,typ.=2.0 @V =10V,I =2A DS(ON) GS D Fast Switching 100%avalanchetested Improveddv/dt capability 2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Source

 8.1. Size:216K  kia
 knd4360a knu4360a knp4360a knf4360a.pdf pdf_icon

KND4365A

4.0A600V N-CHANNELMOSFET 4360A KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Features R =1.9 (typ.)@V =10V, I 2A DS(ON) GS D= Fast switching 100% avalanchetested Improveddv/dt capability 2. Application High frequency switching mode power supply Uninterruptible Power Supply(UPS) Electronic ballast 3. Pinconfiguration Pin Function 1 Gate 2 Drain 3 Sour

Другие IGBT... KND3403A, KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A, IRFB4115, KND4665B, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A