KND4665B. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: KND4665B

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 98 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для KND4665B

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KND4665B даташит

 ..1. Size:277K  kia
 knd4665b knf4665b.pdf pdf_icon

KND4665B

7A 650V N-CHANNELMOSFET KNX4665B KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1. Description TheKNX4665B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage, high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, active power factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology 2. Featur

Другие IGBT... KND3404B, KND3404C, KND3406C, KND3502A, KND3508A, KND3706A, KND4360A, KND4365A, 2N7000, KND4820B, KND6610A, KND8103A, KND8606A, KNE4603A2, KNE6303A, KNE7306A, KNF3725A