STH60N10FI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STH60N10FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 120 nC
   trⓘ - Время нарастания: 270 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218

Другие MOSFET... STH4N80FI , STH4N90 , STH4N90FI , STH55N10 , STH55N10FI , STH5N90 , STH5N90FI , STH60N10 , 10N65 , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 , STH65N06FI , STH6N100 , STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI .