KNF6140A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: KNF6140A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 28 nC
trⓘ - Время нарастания: 25 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm
Тип корпуса: TO220F
KNF6140A Datasheet (PDF)
knp6140a knf6140a.pdf
10A400V6140AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary NewPlanar Technology R =0.35@V =10VDS(ON),typ. GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications Ballast and Lighting DC-ACInverter Other Applications3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4
knp6180a knf6180a.pdf
10A800VKNX6180AN-CHANNEL MOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.General Features Proprietary New Planar Technology R =1.0 @V =10VDS(ON),typ. GS Low Gate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2.Applications ATX Power LCD Panel Power3. Pin configurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain
knp6165b knf6165b.pdf
10A650VKNX6165BN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. Features RoHSCompliant R ,typ.=0.75 @V =10VDS(ON) GS LowGate Charge Minimize Switching Loss Fast Recovery Body Diode2. Applications Adaptor Charger SMPSStandby Power3. PinconfigurationPin Function1 Gate2 Drain3 Source4 Drain1 of 9 Rev 1.0. May. 201910A
knf6165a knp6165a.pdf
10A650VN-CHANNELMOSFETKNX6165AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1. DescriptionTheKNX6165A-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Featu
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: BLF7G22L-250P
History: BLF7G22L-250P
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918