JCS12N60BT datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS12N60BT

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 133 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm

Тип корпуса: TO-262

Аналог (замена) для JCS12N60BT

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS12N60BT даташит

 ..1. Size:1207K  jilin sino
 jcs12n60ct jcs12n60ft jcs12n60st jcs12n60bt.pdf pdf_icon

JCS12N60BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N60T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12.0A VDSS 600 V Rdson-max 0.65 @Vgs=10V Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 6.1. Size:1072K  jilin sino
 jcs12n60t.pdf pdf_icon

JCS12N60BT

 7.1. Size:1140K  1
 jcs12n65t.pdf pdf_icon

JCS12N60BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65T Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12 A VDSS 650 V Rdson @Vgs=10V 0.78 Qg 39 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS FEA

 7.2. Size:1489K  jilin sino
 jcs12n65fei jcs12n65bei jcs12n65sei jcs12n65cei.pdf pdf_icon

JCS12N60BT

N R N-CHANNEL MOSFET JCS12N65EI Package MAIN CHARACTERISTICS ID 12A VDSS 650V Rdson-max 0.9 Vgs=10V Qg-Typ 30nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LE

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... KNF7150A, KNF7650A, KNG3303A, KNG3703A, JCS10N70CH, JCS10N70FH, JCS10N80F, JCS110N07, CS150N03A8, JCS12N60ST, JCS12N65BT, JCS12N65F, JCS12N65ST, JCS13N50BC, JCS13N50CC, JCS13N50FC, JCS13N50SC