STH65N06 - описание и поиск аналогов

STH65N06. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH65N06

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 550 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 950 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: TO218

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам