Справочник MOSFET. JCS19N20C

 

JCS19N20C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS19N20C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для JCS19N20C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS19N20C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1386K  jilin sino
 jcs19n20c jcs19n20f.pdf pdf_icon

JCS19N20C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS19N20 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS15N60CH , JCS15N60FH , JCS15N60SH , JCS15N65FH , JCS15N70C , JCS15N70F , JCS160N08 , JCS160N08I , IRFB31N20D , JCS19N20F , JCS1N70TC , JCS1SN60RC , JCS1SN60TC , JCS1SN60VC , JCS20N60FH , JCS20N65FH , JCS20N65WH .

History: MTEB6N20J3 | BLS6G2735L-30

 

 
Back to Top

 


 
.