JCS19N20C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS19N20C

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO-220C

Аналог (замена) для JCS19N20C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS19N20C даташит

 ..1. Size:1386K  jilin sino
 jcs19n20c jcs19n20f.pdf pdf_icon

JCS19N20C

Другие IGBT... JCS15N60CH, JCS15N60FH, JCS15N60SH, JCS15N65FH, JCS15N70C, JCS15N70F, JCS160N08, JCS160N08I, IRF2807, JCS19N20F, JCS1N70TC, JCS1SN60RC, JCS1SN60TC, JCS1SN60VC, JCS20N60FH, JCS20N65FH, JCS20N65WH