JCS1SN60VC datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS1SN60VC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS1SN60VC

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS1SN60VC даташит

 ..1. Size:733K  jilin sino
 jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf pdf_icon

JCS1SN60VC

N R N-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge

Другие IGBT... JCS15N70F, JCS160N08, JCS160N08I, JCS19N20C, JCS19N20F, JCS1N70TC, JCS1SN60RC, JCS1SN60TC, P60NF06, JCS20N60FH, JCS20N65FH, JCS20N65WH, JCS2N60CB, JCS2N60FB, JCS2N60MB, JCS2N60MF, JCS2N60MFB