Справочник MOSFET. JCS1SN60VC

 

JCS1SN60VC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS1SN60VC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 8.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для JCS1SN60VC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS1SN60VC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:733K  jilin sino
 jcs1sn60tc jcs1sn60vc jcs1sn60rc.pdf pdf_icon

JCS1SN60VC

N RN-CHANNEL MOSFET JCS1SN60C MAIN CHARACTERISTICS 0.6A TO-92 ID 1.2 A IPAK/DPKA Package VDSS 600 V Rdson-max 8.5 Vgs=10V Qg-typ 4.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts based on half bridge

Другие MOSFET... JCS15N70F , JCS160N08 , JCS160N08I , JCS19N20C , JCS19N20F , JCS1N70TC , JCS1SN60RC , JCS1SN60TC , AO3401 , JCS20N60FH , JCS20N65FH , JCS20N65WH , JCS2N60CB , JCS2N60FB , JCS2N60MB , JCS2N60MF , JCS2N60MFB .

History: IRFSL3107 | IRLD110PBF | CHM640NGP | MTM3N80 | IPD135N03L | IRFI4410Z | CHM6601PAGP

 

 
Back to Top

 


 
.