JCS2N60VB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS2N60VB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 132 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 37.4 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS2N60VB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS2N60VB даташит

 ..1. Size:924K  jilin sino
jcs2n60vb jcs2n60rb jcs2n60cb jcs2n60fb jcs2n60mb jcs2n60mfb.pdfpdf_icon

JCS2N60VB

N R N-CHANNEL MOSFET JCS2N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson Vgs=10V 4.5 -MAX Qg-TYP 5.9nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge

 6.1. Size:1813K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

JCS2N60VB

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS l High efficiency switch l mode power supplies l l Electronic lamp ballasts l LED based on half bridge l LED power supplie FEATURES l Low gate c

 6.2. Size:1742K  jilin sino
jcs2n60t jcs2n60mf jcs2n60v jcs2n60r jcs2n60c jcs2n60f.pdfpdf_icon

JCS2N60VB

R JCS2N60C JCS2N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 2.0 A VDSS 600 V Rdson-max 5.0 Vgs=10V Qg-typ 8.1 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power supplie FEATURES

Другие IGBT... JCS20N65WH, JCS2N60CB, JCS2N60FB, JCS2N60MB, JCS2N60MF, JCS2N60MFB, JCS2N60RB, JCS2N60T, IRF9640, JCS2N65C, JCS2N65CB, JCS2N65F, JCS2N65FB, JCS2N65MB, JCS2N65MFB, JCS2N65R, JCS2N65RB