STH6NA80FI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STH6NA80FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для STH6NA80FI
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STH6NA80FI даташит
sth6n95k5-2.pdf
STH6N95K5-2 N-channel 950 V, 1 typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H PAK-2 package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOT STH6N95K5-2 950 V 1.25 6 A 110 W Industry s lowest R x area DS(on) Industry s best figure of merit (FoM) Ultra low gate charge 100% avalanche tested Zener-protected Applicati
sth6n100.pdf
STH6N100 STH6N100FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STH6N100 1000 V
Другие MOSFET... STH60N10FI , STH65N05 , STH65N05FI , STH65N06 , STH65N06FI , STH6N100 , STH6N100FI , STH6NA80 , IRF1405 , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet