JCS4N60SB - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JCS4N60SB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 193.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 23.7 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 89 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для JCS4N60SB
JCS4N60SB Datasheet (PDF)
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60sb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS ID 4.0 A VDSS 600 V 2.4 RdsonVgs=10VQg 18.1nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge LED power su
jcs4n60vb jcs4n60rb jcs4n60bb jcs4n60cb jcs4n60fb.pdf

N RN-CHANNEL MOSFETJCS4N60B Package MAIN CHARACTERISTICS 4.0 A ID 600 V VDSS RdsonVgs=10V 2.4 13.3nC Qg APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge UPS
jcs4n60v jcs4n60c jcs4n60f jcs4n60r jcs4n60b.pdf

N RN-CHANNEL MOSFET JCS4N60C MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson Typ 2.0 Vgs=10V Max 2.5 Qg-typ 17.5nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
jcs4n60f jcs4n60f jcs4n60v jcs4n60r jcs4n60b.pdf

R JCS4N60E JCS4N60E MAIN CHARACTERISTICS Package ID 4.0 A VDSS 600 V Rdson_max 2.35 Vgs=10V Qg-typ 11.8nC APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply FEATURES Low
Другие MOSFET... JCS3910C , JCS3910F , JCS3AN150AA , JCS3AN150BA , JCS3AN150CA , JCS3AN150FA , JCS3AN150SA , JCS3AN150WA , IRF1404 , JCS4N65B , JCS4N65BB , JCS4N65CB , JCS4N65FB , JCS4N65M , JCS4N65MF , JCS4N65RB , JCS4N65SB .
History: SVGP15110NL5 | CEU6056 | CEU6426 | APT1001R1AN | FIR11NS70AFG | 75333G
History: SVGP15110NL5 | CEU6056 | CEU6426 | APT1001R1AN | FIR11NS70AFG | 75333G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
c945 transistor | irf640n | 2n3904 | bc547 datasheet | k3797 mosfet | bs170 datasheet | tip41c | irfp460