STH7N90 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STH7N90
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
   trⓘ - Время нарастания: 280 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO218

Другие MOSFET... STH65N06 , STH65N06FI , STH6N100 , STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , SPW47N60C3 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 .