Справочник MOSFET. JCS640C

 

JCS640C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JCS640C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 104 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 181 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO-220C
 

 Аналог (замена) для JCS640C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

 0.2. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640C

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640H MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18A VDSS 200 V Rdson-max 0.15 @Vgs=10V Qg-typ 27.5nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие MOSFET... JCS5N60VB , JCS5N65FB , JCS630BA , JCS630CA , JCS630FA , JCS630RA , JCS630SA , JCS630VA , 2N60 , JCS640CH , JCS640F , JCS640FH , JCS640RH , JCS640S , JCS640VH , JCS6N70B , JCS6N70C .

History: JBE102G | 60N06 | FDD3N40 | SIA430DJ | IRFZ44NLPBF | CM8N60 | FXN32N55T

 

 
Back to Top

 


 
.