STH7NA60FI - описание и поиск аналогов

 

STH7NA60FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH7NA60FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 90 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 155 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH7NA60FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH7NA60FI даташит

 ..1. Size:346K  1
 sth7na60 sth7na60fi.pdf pdf_icon

STH7NA60FI

 8.1. Size:132K  1
 sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STH7NA60FI

STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V

 8.2. Size:340K  1
 sth7na80 sth7na80fi.pdf pdf_icon

STH7NA60FI

 8.3. Size:106K  st
 sth7na90fi stw7na90.pdf pdf_icon

STH7NA60FI

STW7NA90 STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA90 900 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STH6N100FI , STH6NA80 , STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , IRF9640 , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.