JCS640VH datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS640VH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 173 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для JCS640VH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS640VH даташит

 ..1. Size:1405K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh.pdf pdf_icon

JCS640VH

 ..2. Size:1803K  jilin sino
 jcs640vh jcs640rh jcs640ch jcs640fh jcs640sh.pdf pdf_icon

JCS640VH

 8.1. Size:1439K  jilin sino
 jcs640s jcs640c jcs640f.pdf pdf_icon

JCS640VH

N N- CHANNEL MOSFET R JCS640 MAIN CHARACTERISTICS Package ID 18.0A VDSS 200 V Rdson-max 0.18 @Vgs=10V Qg-typ 47nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts UPS based on half bridge

Другие IGBT... JCS630SA, JCS630VA, JCS640C, JCS640CH, JCS640F, JCS640FH, JCS640RH, JCS640S, 8N60, JCS6N70B, JCS6N70C, JCS6N70F, JCS6N70MP, JCS6N70R, JCS6N70S, JCS6N70V, JCS6N90B