Справочник MOSFET. STH7NA80FI

 

STH7NA80FI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STH7NA80FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для STH7NA80FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH7NA80FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdfpdf_icon

STH7NA80FI

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 ..2. Size:340K  1
sth7na80 sth7na80fi.pdfpdf_icon

STH7NA80FI

 8.1. Size:346K  1
sth7na60 sth7na60fi.pdfpdf_icon

STH7NA80FI

 8.2. Size:106K  st
sth7na90fi stw7na90.pdfpdf_icon

STH7NA80FI

STW7NA90STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218FAST POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA90 900 V

Другие MOSFET... STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , EMB04N03H , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI .

 

 
Back to Top

 


 
.