STH7NA80FI. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STH7NA80FI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 95 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT218
Аналог (замена) для STH7NA80FI
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STH7NA80FI даташит
sth7na80fi stw7na80.pdf
STW7NA80 STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA80 800 V
sth7na90fi stw7na90.pdf
STW7NA90 STH7NA90FI N - CHANNEL 900V - 1.05 - 7A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW7NA90 900 V
Другие MOSFET... STH6NA80FI , STH75N06 , STH75N06FI , STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , AON7403 , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI .
History: STH7NA60FI | STE100N20
History: STH7NA60FI | STE100N20
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2sc1116a | 2sc460 | 2sc869 datasheet | k3568 datasheet | 2sb77 | ac128 transistor datasheet | c2878 transistor | 2sc732





