JCS7N60SB datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JCS7N60SB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 142 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для JCS7N60SB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JCS7N60SB даташит

 ..1. Size:904K  jilin sino
 jcs7n60bb jcs7n60sb jcs7n60cb jcs7n60fb.pdf pdf_icon

JCS7N60SB

N R N-CHANNEL MOSFET JCS7N60B MAIN CHARACTERISTICS Package ID 7.0 A VDSS 600 V Rdson-max 1.2 @Vgs=10V Qg-typ 25 nC APPLICATIONS High efficiency switch mode power supplies Electronic lamp ballasts LED based on half bridge L

 6.1. Size:755K  jilin sino
 jcs7n60s jcs7n60b jcs7n60c jcs7n60f.pdf pdf_icon

JCS7N60SB

 6.2. Size:1774K  jilin sino
 jcs7n60v jcs7n60r jcs7n60f jcs7n60c jcs7n60b jcs7n60s.pdf pdf_icon

JCS7N60SB

 8.1. Size:600K  jilin sino
 jcs7n65.pdf pdf_icon

JCS7N60SB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... JCS7HN65C, JCS7HN65F, JCS7HN65R, JCS7HN65S, JCS7HN65V, JCS7N60BB, JCS7N60CB, JCS7N60FB, IRFB4110, JCS7N65BB, JCS7N65SB, JCS7N80BH, JCS7N80CH, JCS7N80FH, JCS7N80SH, JCS88N75I, JCS8N60BB