STH8N80 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STH8N80
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 125 nC
trⓘ - Время нарастания: 280 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
Тип корпуса: TO218
STH8N80 Datasheet (PDF)
9.2. Size:323K st
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf
stw8nb90 sth8nb90fi.pdf
STW8NB90STH8NB90FIN-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB90 900 V
Другие MOSFET... STH7N90 , STH7N90FI , STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , IRFP064N , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , STHV102FI .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD | SRN1660F