STH8NA60 - описание и поиск аналогов

 

STH8NA60. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH8NA60

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 175 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO218

Аналог (замена) для STH8NA60

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH8NA60 даташит

 ..1. Size:344K  1
sth8na60 sth8na60fi.pdfpdf_icon

STH8NA60

 8.1. Size:128K  njs
sth8na80fi stw8na80.pdfpdf_icon

STH8NA60

 9.1. Size:406K  1
sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdfpdf_icon

STH8NA60

 9.2. Size:323K  st
stw8nb90 sth8nb90fi.pdfpdf_icon

STH8NA60

STW8NB90 STH8NB90FI N-CHANNEL 900V - 1.1 - 8 A TO-247/ISOWATT218 PowerMesh MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STW8NB90 900 V

Другие MOSFET... STH7NA60 , STH7NA60FI , STH7NA80 , STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , AOD4184A , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.