JS65R170BM MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JS65R170BM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 59 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.17 Ohm
Тип корпуса: TO-262
Аналог (замена) для JS65R170BM
JS65R170BM Datasheet (PDF)
..1. Size:1822K jilin sino
js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf
js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf
N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
