Справочник MOSFET. JS65R170FM

 

JS65R170FM Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JS65R170FM
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.17 Ohm
   Тип корпуса: TO-220MF
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

JS65R170FM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1822K  jilin sino
 js65r170fm js65r170wm js65r170abm js65r170cm js65r170bm js65r170sm.pdf pdf_icon

JS65R170FM

N R N-CHANNEL MOSFETJS65R170M Package MAIN CHARACTERISTICS 20A ID 650 V VDSS Rdson-max0.17 @Vgs=10V 38.5 nC Qg-typ APPLICATIONS High frequency switching mode power supply Electronic ballast LED LED power supply

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: RSD175N10 | PMF63UN | IRF6616 | JCS24N50ABH | IRF3707SPBF | BL3N105-A | SSF1006

 

 
Back to Top

 


 
.