STH9N80FI - описание и поиск аналогов

 

STH9N80FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STH9N80FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 280 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STH9N80FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STH9N80FI даташит

 ..1. Size:338K  1
 sth9n80 sth9n80fi.pdf pdf_icon

STH9N80FI

 9.1. Size:133K  st
 sth9na80fi.pdf pdf_icon

STH9N80FI

STW9NA80 STH9NA80FI N - CHANNEL 800V - 0.85 - 9.1A - TO-247/ISOWATT218 FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA80 800 V

 9.2. Size:130K  st
 sth9na60fi.pdf pdf_icon

STH9N80FI

STW9NA60 STH9NA60FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STW9NA60 600 V

 9.3. Size:147K  njs
 sth9na80fi stw9na80.pdf pdf_icon

STH9N80FI

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STH7NA80FI , STH80N05 , STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , IRFP064N , STH9NA60 , STHV102 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.