KNP3706A datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: KNP3706A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для KNP3706A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

KNP3706A даташит

 ..1. Size:198K  kia
 knp3706a knd3706a.pdf pdf_icon

KNP3706A

50A 60V KNX3706A N-CHANNELMOSFET KIA KIA KIA SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS SEMICONDUCTORS 1.Features R =9m @V 10V DS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology 2.Description The KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R and DS(ON) gate charge for

Другие IGBT... KNP2804C, KNP2910A, KNP2915A, KNP3204A, KNP3206A, KNP3208A, KNP3306A, KNP3508A, P60NF06, KNP4360A, KNP4540A, KNP4665A, KNP6140A, KNP6165A, KNP6165B, KNP6180A, KNP6450A