KNP3706A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNP3706A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 80 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для KNP3706A
KNP3706A Datasheet (PDF)
knp3706a knd3706a.pdf

50A60VKNX3706AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R =9m@V 10VDS(ON),typ. GS= 100%EASguaranteed Super lowgate charge Excellent Cdv/dt effect decline Advanced high cell density trench technology2.DescriptionThe KNX3706Ais the high cell density trenched N-ch MOSFET,which provide excellent R andDS(ON)gate charge for
Другие MOSFET... KNP2804C , KNP2910A , KNP2915A , KNP3204A , KNP3206A , KNP3208A , KNP3306A , KNP3508A , AO3401 , KNP4360A , KNP4540A , KNP4665A , KNP6140A , KNP6165A , KNP6165B , KNP6180A , KNP6450A .
History: DMN3031LSS | AP9973GI | CEP3100 | 2N5246 | SI3430DV | HUFA76419D3
History: DMN3031LSS | AP9973GI | CEP3100 | 2N5246 | SI3430DV | HUFA76419D3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1969 transistor | bcy21 | s8550 datasheet | mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor