Справочник MOSFET. STHV102

 

STHV102 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STHV102
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: TO218
 

 Аналог (замена) для STHV102

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STHV102 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  1
 sthv102 sthv102fi.pdf pdf_icon

STHV102

 ..2. Size:351K  st
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102

 ..3. Size:209K  inchange semiconductor
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STHV102FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... STH80N05FI , STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , BS170 , STHV102FI , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , STK14N10 .

History: SL65N10Q | AON7290

 

 
Back to Top

 


 
.