Справочник MOSFET. KNU4820B

 

KNU4820B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: KNU4820B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 94 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

KNU4820B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:463K  kia
knu4820b knd4820b.pdfpdf_icon

KNU4820B

9.0A200VN-CHANNELMOSFET KNX4820BKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS`1. DescriptionTheKNX4820B-Channel enhancement modesilicongatepower MOSFETis designedfor highvoltage,high speed power switching applications such as high efficiency switched mode power supplies, activepower factor correction, electronic lamp ballasts based on half bridge topology2. Fe

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IXFA4N100P | HX2300 | DH160P04D | IRHLUC7970Z4 | HUFA76619D3 | AM30N06-39IE | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.