KNU8103A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: KNU8103A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 7.2 nC
trⓘ - Время нарастания: 9.8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 81 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm
Тип корпуса: TO251
KNU8103A Datasheet (PDF)
knd8103a knu8103a.pdf

30A30VKNX8103AN-CHANNELMOSFETKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.DescriptionThe KIA-8103Ais the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high celldensity,which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converterapplications.The KIA30N03Bmeet the RoHSand Green Product requirenment,100%EASguaranteed withfull
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: IPI120P04P4-04 | FDMS2508SDC | SML50J50 | ET8205 | WMB017N03LG2 | UF840KG-TA3-R | BF991
History: IPI120P04P4-04 | FDMS2508SDC | SML50J50 | ET8205 | WMB017N03LG2 | UF840KG-TA3-R | BF991



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DH060N07D | DH060N07B | DH060N03R | DH045N06I | DH045N06F | DH045N06E | DH045N06D | DH045N06B | DH045N06 | DH045N04P | DH045N04I | DH045N04F | DH045N04E | DH045N04D | DH045N04B | DH045N04
Popular searches
d718 transistor | irfp250n datasheet | 2n5550 | 2sd1047 | 2n3035 | ksc1815 | bu406 | j201 datasheet