STHV102FI - описание и поиск аналогов

 

STHV102FI. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STHV102FI

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm

Тип корпуса: ISOWATT218

Аналог (замена) для STHV102FI

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STHV102FI даташит

 ..1. Size:353K  1
 sthv102 sthv102fi.pdf pdf_icon

STHV102FI

 7.1. Size:351K  st
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102FI

 7.2. Size:209K  inchange semiconductor
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102FI

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor STHV102 FEATURES With TO-3PN packaging High speed switching Standard level gate drive Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , IRFZ44N , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , STK14N10 , STK16N10L .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.