STHV102FI - аналоги и даташиты транзистора

 

STHV102FI - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: STHV102FI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 165 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT218
 

 Аналог (замена) для STHV102FI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STHV102FI Datasheet (PDF)

 ..1. Size:353K  1
 sthv102 sthv102fi.pdf pdf_icon

STHV102FI

 7.1. Size:351K  st
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102FI

 7.2. Size:209K  inchange semiconductor
 sthv102.pdf pdf_icon

STHV102FI

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor STHV102FEATURESWith TO-3PN packagingHigh speed switchingStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... STH8N80 , STH8N80FI , STH8NA60 , STH8NA60FI , STH9N80 , STH9N80FI , STH9NA60 , STHV102 , IRFZ44N , STHV82 , STHV82FI , STK12N05L , STK12N06L , STK14N05 , STK14N06 , STK14N10 , STK16N10L .

 

 
Back to Top

 


 
.