Справочник MOSFET. KNY3703A

 

KNY3703A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: KNY3703A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 46 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 10 nC
   Время нарастания (tr): 4 ns
   Выходная емкость (Cd): 270 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

 Аналог (замена) для KNY3703A

 

 

KNY3703A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  kia
kng3703a kny3703a.pdf

KNY3703A KNY3703A

50A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX3703AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R (typ.)=7.5m,VGS=10VDS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top