KNY3703A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: KNY3703A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: DFN5X6
Аналог (замена) для KNY3703A
KNY3703A Datasheet (PDF)
kng3703a kny3703a.pdf

50A, 30VN-CHANNELMOSFETKNX3703AKIAKIAKIASEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORSSEMICONDUCTORS1.Features R (typ.)=7.5m,VGS=10VDS(on) Advanced trenchprocess technology High density cell design for ultra lowon-resistance Fully characterized avalanche voltage and current2.Applications High Frequency Point-of-LoadSynchronous Buck Converter for MB/NB/UMPC/VGA NetworkingDC-DCP
Другие MOSFET... KNU8103A , KNU8606A , KNY2803A , KNY3204A , KNY3303A , KNY3403A , KNY3404C , KNY3406C , IRFZ44N , KPE4403A2 , KPE4703A , S-L2N7002DW1T1G , L2N7002FLT1G , L2N7002KDW1T1G , L2N7002KDW1T3G , L2N7002KLT1G , L2N7002KN3T5G .
History: AS2305 | SL05N10A | IRFIB6N60APBF | ECX10N20 | AO4400 | MS12N65 | WM10N02G
History: AS2305 | SL05N10A | IRFIB6N60APBF | ECX10N20 | AO4400 | MS12N65 | WM10N02G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2n5088 datasheet | irfp064n | tip31 transistor | 2sc1384 | mj21196g | irfb4115 | 21270 transistor | k3569