L2SK801LT1G - описание и поиск аналогов

 

L2SK801LT1G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: L2SK801LT1G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.225 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.31 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 10 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm

Тип корпуса: SOT23

Аналог (замена) для L2SK801LT1G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

L2SK801LT1G даташит

 ..1. Size:183K  lrc
 l2sk801lt1g.pdf pdf_icon

L2SK801LT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Small Signal MOSFET 310 mAmps, 60 Volts L2SK801LT1G N Channel SOT 23 3 Pb-Free Package is Available. 1 2 CASE 318, STYLE 21 MAXIMUM RATINGS SOT 23 (TO 236AB) Rating Symbol Value Unit Drain Source Voltage VDSS 60 Vdc Drain Gate Voltage (RGS = 1.0 M ) VDGR 60 Vdc 310 mAMPS Drain Current 60 VOLTS Continuous TC = 25 C (Note 1.) ID 3

Другие MOSFET... S-L2N7002M3T5G , L2N7002SDW1T1G , L2N7002SDW1T3G , L2N7002SLT1G , L2N7002SLT3G , L2N7002SWT1G , S-L2N7002SWT1G , S-L2SK3018WT1G , 10N60 , LBSS123LT1G , S-LBSS123LT1G , LBSS138LT1G , S-LBSS138LT1G , LBSS138WT1G , S-LBSS138WT1G , LBSS139DW1T1G , LBSS139DW1T3G .

History: 2SK791

 

 

 

 

↑ Back to Top
.