SLD3101 - описание и поиск аналогов

 

SLD3101. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLD3101

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 430 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SLD3101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLD3101 даташит

 ..1. Size:591K  maple semi
 sld3101.pdf pdf_icon

SLD3101

LEAD FREE Pb RoHS SLD3101 430V N-Channel MOSFET General Description Features - 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.55 @VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC) This Power MOSFET is produced using Maple semi s - High ruggedness advanced trench MOSFET technology. - Fast switching This advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche tested to minimize on-stat

Другие MOSFET... LBSS8402DW1T1G , S-LBSS8402DW1T1G , LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ , SLU2N65UZ , SPP20N60C3 , SLD5N50S2 , SLU5N50S2 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , SLU60R380S2 , SLD60R650S2 , SLU60R650S2 .

History: 5NA80 | 2SK1314S | SM6127NSUB | 2SK3575-S | SLD2N65UZ | DH020N03B | DH020N03

 

 

 

 

↑ Back to Top
.