SLU5N50S2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SLU5N50S2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm
Тип корпуса: TO251
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SLU5N50S2 Datasheet (PDF)
sld5n50s2 slu5n50s2.pdf

LEAD FREEPbRoHSSLD5N50S2 / SLU5N50S2500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35@VGS = 10 V( ) ypadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC)This advanced technology has been especially tailored to - High ruggednessminimize on-state resistance, provide super
sld5n65s slu5n65s.pdf

SLD5N65S / SLU5N65SSLD5N65S / SLU5N65S650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: IXFC80N10 | FDW254P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
10n60 | 2sc1061 | a1023 | d313 transistor | 2sa1302 | 2sd315 | a1013 | 2sb554