SLU5N50S2 - описание и поиск аналогов

 

SLU5N50S2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SLU5N50S2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 55 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO251

Аналог (замена) для SLU5N50S2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU5N50S2 даташит

 ..1. Size:319K  maple semi
 sld5n50s2 slu5n50s2.pdf pdf_icon

SLU5N50S2

LEAD FREE Pb RoHS SLD5N50S2 / SLU5N50S2 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 5A, 500V, RDS(on) typ. = 1.35 @VGS = 10 V ( ) yp advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 10 nC) This advanced technology has been especially tailored to - High ruggedness minimize on-state resistance, provide super

 9.1. Size:463K  maple semi
 sld5n65s slu5n65s.pdf pdf_icon

SLU5N50S2

SLD5N65S / SLU5N65S SLD5N65S / SLU5N65S 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 4.5A, 650V, RDS(on) = 2.5 @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 13.3nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching

Другие MOSFET... LBSS84DW1T1G , S-LBSS84DW1T1G , LBSS84ELT1G , S-LBSS84ELT1G , SLD2N65UZ , SLU2N65UZ , SLD3101 , SLD5N50S2 , K4145 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , SLU60R380S2 , SLD60R650S2 , SLU60R650S2 , SLD65R420S2 , SLU65R420S2 .

History: 2SK1314S | WML12N105C2 | DH020N03B | WMP11N65SR | WML125N12LG2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.