SLU60R380S2 - аналоги и даташиты транзистора

 

SLU60R380S2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SLU60R380S2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm
   Тип корпуса: TO251
 

 Аналог (замена) для SLU60R380S2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLU60R380S2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1022K  maple semi
 sld60r380s2 slu60r380s2.pdf pdf_icon

SLU60R380S2

SLD60R380S2/SLU60R380S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 11A, 600V, RDS(on)typ= 0.3@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 22nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

 8.1. Size:1010K  maple semi
 sld60r650s2 slu60r650s2.pdf pdf_icon

SLU60R380S2

SLD60R650S2/SLU60R650S2600V N-channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis- 7A, 600V, RDS(on)typ= 0.48@VGS = 10 VAdvanced Super-Junction technology.- Low gate charge ( typical 16nC)This advanced technology has been especially tailored to- High ruggednessminimize conduction loss, provide superior switching- Fast switchingper

Другие MOSFET... SLD2N65UZ , SLU2N65UZ , SLD3101 , SLD5N50S2 , SLU5N50S2 , SLD5N65S , SLU5N65S , SLD60R380S2 , 4435 , SLD60R650S2 , SLU60R650S2 , SLD65R420S2 , SLU65R420S2 , SLD65R700S2 , SLU65R700S2 , SLD65R950S2 , SLD70R420S2 .

History: 4N60G-TQ2-R | 4N60G-TM3-T | NCE4801 | AP9467AGH | RU30S4H | IRF644NS | SVF10N65F

 

 
Back to Top

 


 
.