SLP3101 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP3101  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 430 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP3101

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP3101 даташит

 ..1. Size:567K  maple semi
 slf3101 slp3101.pdf pdf_icon

SLP3101

LEAD FREE Pb RoHS SLF3101/SLP3101 430V N-Channel MOSFET General Description Features - 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.55 @VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC) This Power MOSFET is produced using Maple semi s - High ruggedness advanced trench MOSFET technology. - Fast switching This advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche tested to minimize

Другие IGBT... SLI80R500SJ, SLD80R850SJ, SLU80R850SJ, SLP80R850SJ, SLF80R850SJ, SLB80R850SJ, SLI80R850SJ, SLF3101, STP65NF06, SLF50R140SJ, SLP50R140SJ, SLF60R080SS, SLF60R160S2, SLF60R650S2, SLF65R300S2, SLF65R700S2, SLF65R950S2