SLP3101 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SLP3101
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 430 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.55 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для SLP3101
SLP3101 Datasheet (PDF)
slf3101 slp3101.pdf

LEAD FREEPbRoHS SLF3101/SLP3101430V N-Channel MOSFETGeneral Description Features - 11A, 430V, RDS(on)typ. = 0.55@VGS = 10 V - Low gate charge ( typical 23nC)This Power MOSFET is produced using Maple semis - High ruggednessadvanced trench MOSFET technology. - Fast switchingThis advanced technology has been especially tailored - 100% avalanche testedto minimize
Другие MOSFET... SLI80R500SJ , SLD80R850SJ , SLU80R850SJ , SLP80R850SJ , SLF80R850SJ , SLB80R850SJ , SLI80R850SJ , SLF3101 , IRF1405 , SLF50R140SJ , SLP50R140SJ , SLF60R080SS , SLF60R160S2 , SLF60R650S2 , SLF65R300S2 , SLF65R700S2 , SLF65R950S2 .
History: HAF2007S | LND08R055W3 | JCS2N70V | UTM4052L-S08-R | MG065R060 | 2N65KL-TF1-T | AOW12N60
History: HAF2007S | LND08R055W3 | JCS2N70V | UTM4052L-S08-R | MG065R060 | 2N65KL-TF1-T | AOW12N60



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
tip107 | 2n5457 | k3568 | 2sc1344 | cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667