Справочник MOSFET. SLF12N60C

 

SLF12N60C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SLF12N60C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 44.7 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 206 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.61 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для SLF12N60C

 

 

SLF12N60C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1352K  maple semi
 slp12n60c slf12n60c.pdf

SLF12N60C SLF12N60C

SLP12N60C / SLF12N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch

 7.1. Size:1813K  maple semi
 slp12n65c slf12n65c.pdf

SLF12N60C SLF12N60C

SLP12N65C / SLF12N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: CHM3545SGP

 

 
Back to Top