SLP12N65C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLP12N65C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 259 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 47 nC
Время нарастания (tr): 26.5 ns
Выходная емкость (Cd): 196 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.72 Ohm
Тип корпуса: TO220
SLP12N65C Datasheet (PDF)
slp12n65c slf12n65c.pdf
SLP12N65C / SLF12N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
slp12n60c slf12n60c.pdf
SLP12N60C / SLF12N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
