Справочник MOSFET. SLF12N65C

 

SLF12N65C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLF12N65C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.72 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для SLF12N65C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLF12N65C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1813K  maple semi
 slp12n65c slf12n65c.pdf pdf_icon

SLF12N65C

SLP12N65C / SLF12N65C650V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12A, 650V, RDS(on) typ. = 0.6@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 47nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 7.1. Size:1352K  maple semi
 slp12n60c slf12n60c.pdf pdf_icon

SLF12N65C

SLP12N60C / SLF12N60C600V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 12.0A, 600V, RDS(on)typ = 0.51@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44.7nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switch

Другие MOSFET... SLF10N65A , SLP10N65C , SLF10N65C , SLP10N65S , SLF10N65S , SLP12N60C , SLF12N60C , SLP12N65C , IRF3205 , SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , SLP16N50C , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S .

History: PN4119 | STP22NS25Z | HAT2132H | IPD50N03S2-07 | FMV10N60E | SSM3K01T | AFN1330S

 

 
Back to Top

 


 
.