SLF13N50A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SLF13N50A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 32.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 13 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19.1 nC
trⓘ - Время нарастания: 32 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 153 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
Тип корпуса: TO220F
SLF13N50A Datasheet (PDF)
slp13n50a slf13n50a.pdf
LEAD FREEPbRoHSSLP13N50A / SLF13N50A500V N-Channel MOSFETGeneral DescriptionFeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis advanced planar stripe DMOS technology. - 13A, 500V, RDS(on) = 0.483@VGS = 10 VThis advanced technology has been especially tailored - Low gate charge ( typical 19.1nC)to minimize on-state resistance, provide superior switching - Low Crss (
slp13n50c slf13n50c.pdf
SLP13N50C / SLF13N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 13A, 500V, RDS(on)typ. = 386m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 44nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD