SLP16N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SLP16N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SLP16N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP16N50C даташит

 ..1. Size:1321K  maple semi
 slp16n50c slf16n50c.pdf pdf_icon

SLP16N50C

SLP16N50C / SLF16N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 305m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 52nC) This advanced technology has been especially tailored - High ruggedness to minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 6.1. Size:938K  maple semi
 slp16n50s slf16n50s.pdf pdf_icon

SLP16N50C

SLP16N50S / SLF16N50S 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using Maple semi s - 16A, 500V, RDS(on) = 280m @VGS = 10 V advanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 31nC) This advanced technology has been especially tailored - Low Crss ( typical 6.8pF) to minimize on-state resistance, provide superior switching - High rug

Другие IGBT... SLP12N60C, SLF12N60C, SLP12N65C, SLF12N65C, SLP13N50A, SLF13N50A, SLP13N50C, SLF13N50C, IRF540, SLF16N50C, SLP16N50S, SLF16N50S, SLP18N50C, SLF18N50C, SLP20N50C, SLF20N50C, SLP2N65UZ