Справочник MOSFET. SLP16N50C

 

SLP16N50C Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SLP16N50C
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 255 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.366 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для SLP16N50C

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SLP16N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1321K  maple semi
 slp16n50c slf16n50c.pdf pdf_icon

SLP16N50C

SLP16N50C / SLF16N50C500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on)typ. = 305m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 52nC)This advanced technology has been especially tailored - High ruggednessto minimize on-state resistance, provide superior switching - Fast switching

 6.1. Size:938K  maple semi
 slp16n50s slf16n50s.pdf pdf_icon

SLP16N50C

SLP16N50S / SLF16N50S500V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThis Power MOSFET is produced using Maple semis - 16A, 500V, RDS(on) = 280m@VGS = 10 Vadvanced planar stripe DMOS technology. - Low gate charge ( typical 31nC)This advanced technology has been especially tailored - Low Crss ( typical 6.8pF)to minimize on-state resistance, provide superior switching - High rug

Другие MOSFET... SLP12N60C , SLF12N60C , SLP12N65C , SLF12N65C , SLP13N50A , SLF13N50A , SLP13N50C , SLF13N50C , IRF540N , SLF16N50C , SLP16N50S , SLF16N50S , SLP18N50C , SLF18N50C , SLP20N50C , SLF20N50C , SLP2N65UZ .

History: AOSN32128 | MPSA80M250B | HM16N65F

 

 
Back to Top

 


 
.